一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件及其方法

1.一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端点和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层；所述十字结构为两个三孔垂直霍尔器件的叠加构成；所述三孔垂直霍尔器件为在深N阱上设置三个重掺杂的N+区层，N+区之间设置高掺杂的P+区；所述N+区层上设置有接触电极，作为偏置电极或霍尔电极。 2.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件基于硅基板。 3.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述接触电极采用铝材料。 4.根据权利要求1-3任一所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1:基于硅基板，采用高压CMOS工艺制备两个十字结构深N阱；步骤S2：在十字结构的深N阱的四个端点和中心分别制备重掺杂的N+区层；步骤S3:在所述重掺杂的N+区层上方制备对应的接触电极；步骤S4:所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均制备高掺杂的P+区层。 5.一种采用权利要求1或3所述应用于三维霍尔传感器的霍尔器件的测磁方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1:双十结构从左到右N+区层对应的接触电机编号分别为contact1、contact2、...、contact6,接触电极contact1和contact6，contact3和contact4分别用导线连接;步骤S2:contact1和contact6作为偏置输入电极，contact3和contact4作为偏置输出电极，载流子在流经N阱内部时，由于磁场的存在，受到洛伦茨力的影响发生偏转，聚集于作为霍尔电极的contact2和contact5处，由于两个三孔结构完全对称，contact2和contact5处的电势应相同，侦测磁场时，二者之间出现的势差即为霍尔电压；步骤S3:contact3和contact4作为偏置输入电极，contact1和contact6作为偏置输出电极，载流子在流经N阱内部时，由于磁场的存在，受到洛伦茨力的影响发生偏转，聚集于作为霍尔电极的contact2和contact5处，由于两个三孔结构完全对称，contact2和contact5处的电势应相同，侦测磁场时，二者之间出现的势差即为霍尔电压。