一种阻变存储器的制备方法

1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：沉积第一电极层；在所述第一电极层上铺设单层二维材料，形成第一中间层；在所述第一电极层上铺设单层二维材料，形成第一中间层后，包括：在所述第一中间层中部设置一通孔；所述通孔的直径为100～200nm；在所述第一中间层上生长第二中间层，所述第二中间层的迁移率小于1cm 2 /Vs；在所述第二中间层上生长阻变层；在所述阻变层上生长第二电极层。 2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一中间层上生长第二中间层，包括：利用原子层沉积法、磁控溅射或离子束溅射生长方法在所述第一中间层上生长第二中间层。 3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二维材料具体包括：石墨烯或二硫化钼MoS 2 。 4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二中间层的材料包括：氮化硼BN、有机半导体及Si 3 N 4 中的任意一种。 5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二中间层的厚度为2～10nm。 6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变层的材料包括：氧化铪HfO 2 、氧化钨WO 3 及氧化钽Ta 2 O 5 中的任意一种。 7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极层的材料包括铜Cu或银Ag。 8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电极层的材料包括：金Au或铂Pt。