1.一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，包括依次连接的输入电路(1)和输出电路(2)；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器(3)；所述变压器(3)包括互感的第一线圈(4)和第二线圈(5)；所述R1的一端和第一线圈(4)的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈(4)的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈(5)的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈(5)的另一端接地，NM1的漏级接输出电路(2)；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs；所述输入电路(1)还包括第二电容C2；所述C2的一端连接于R1和第一线圈(4)的共节点处，C2的另一端接地；所述输出电路(2)包括第二电阻R2、第二MOS管NM2、第三电容C3、第五电容C5、第一电感L1和第二电感L2；所述R2的一端、C3的一端和NM2的栅极共节点，且R2的另一端接工作电压VDD，C3的另一端接NM1的漏级；所述L2的一端、C5的一端和NM2的漏级共节点，且L2的另一端接工作电压VDD，C5的另一端接输出电压Vout；所述L1的一端和NM2的源极共节点，且L1的另一端接NM1的漏级。
2.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第二MOS管NM2采用NMOS管。
3.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述输出电路(2)还包括第四电容C4；所述第四电容C4的一端连接于NM1的漏级，C4的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述工作电压VDD采用0.7～0.9V。
5.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第一MOS管NM1采用NMOS管。
6.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述衬底偏置电压Vbs采用0.2～0.6V。
7.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电压Vbias采用0.2～0.6V。
8.根据权利要求7所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电压Vbias采用0.45V。
