1.一种零序过流保护方法，其特征在于，包括：获取变压器的零模涌流参数；利用所述零模涌流参数、零模涌流解析式和非饱和铁芯磁密表达式，得到零模涌流波形；利用所述零模涌流波形，设定零序过流保护装置的保护判据；其中，所述零模涌流解析式包括所述变压器的饱和互感抗、高压侧自漏抗、低压侧自漏抗、系统零序电抗、系统电压、系统磁密、非饱和铁芯磁密和剩磁的磁密，所述零模涌流解析式为利用三相变压器的三相涌流解析表达式得到的；所述非饱和铁芯磁密表达式为利用所述变压器的剩磁、饱和铁芯磁密、合闸角、角频率和系统磁密定义三相各时刻的非饱和铁芯磁密的表达式。
2.根据权利要求1所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述三相涌流解析表达式为利用单相变压器的单相涌流解析表达式、总磁链时域表达式、三相电磁方程和三相总磁链表达式得到的。
3.根据权利要求2所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述总磁链时域表达式为利用单相变压器空载合闸的磁链电压方程和包括交链原副方绕组互漏感的总磁链表达式得到的。
4.根据权利要求3所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述单相涌流解析表达式为利用所述磁链电压方程、铁芯磁链表达式、铁芯完全饱和时变压器的微分电感和所述总磁链时域表达式得到的。
5.根据权利要求1至4任一项所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述零模涌流解析式为： 所述非饱和铁芯磁密表达式为：式中，3i 0 (t)表示零模涌流波形，i 0 表示每相的零模涌流，t表示时间，U s 表示系统电压，B r 表示剩磁的磁密，B J (t)表示t时刻的非饱和铁芯磁密，ω表示角频率，α表示合闸角，X air 表示饱和互感抗、X σ 表示高压侧自漏抗、X σD 表示低压侧自漏抗、X s0 表示系统零序电抗，B JA (t)表示A相t时刻的非饱和铁芯磁密，B Sat 表示饱和铁芯磁密，B rA 表示A相剩磁的磁密，B JB (t)表示B相t时刻的非饱和铁芯磁密，B rB 表示B相剩磁的磁密，B JC (t)表示C相t时刻的非饱和铁芯磁密，B rC 表示C相剩磁的磁密。
6.根据权利要求5所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述得到零模涌流波形之后，还包括：利用所述零模涌流解析式和单相零模涌流表达式，得到励磁支路总电流表达式；利用所述励磁支路总电流表达式，得到零模等值电路图。
7.根据权利要求5所述的零序过流保护方法，其特征在于，所述利用所述零模涌流波形，设定零序过流保护装置的保护判据的过程，包括：对所述零模涌流波形进行数学分析，提取所述零模涌流波形的特征信息；利用所述特征信息设定所述零序过流保护装置的保护判据。
8.一种零序过流保护系统，其特征在于，包括：参数获取模块，用于获取变压器的零模涌流参数；涌流计算模块，用于利用所述零模涌流参数、零模涌流解析式和非饱和铁芯磁密表达式，得到零模涌流波形；保护判据设定模块，用于利用所述零模涌流波形，设定零序过流保护装置的保护判据；其中，所述零模涌流解析式包括所述变压器的饱和互感抗、高压侧自漏抗、低压侧自漏抗、系统零序电抗、系统电压、系统磁密、非饱和铁芯磁密和剩磁的磁密，所述零模涌流解析式为利用三相变压器的三相涌流解析表达式得到的；所述非饱和铁芯磁密表达式为利用所述变压器的剩磁、饱和铁芯磁密、合闸角、角频率和系统磁密定义三相各时刻的非饱和铁芯磁密的表达式。
9.一种零序过流保护装置，其特征在于，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序以实现如权利要求1至6任一项所述的零序过流保护方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有零序过流保护程序，所述零序过流保护程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述零序过流保护方法的步骤。
