1.一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管，包括：阴极金属(1)，在阴极金属(1)的上方有N型本征区(4)，在N型本征区(4)的上方有阳极金属(7)，其特征在于，在阴极金属(1)上设有轻掺杂N型区域(3)和重掺杂N型区域(2)，所述轻掺杂N型区域(3)与所述重掺杂N型区域(2)相互间隔设置，轻掺杂N型区域(3)的底部与阴极金属(1)为肖特基接触(8)，并且，所述轻掺杂N型区域(3)向N型本征区(4)延伸并使所述重掺杂N型区域(2)被轻掺杂N型区域(3)的延伸部分所覆盖，所述N型本征区(4)位于轻掺杂N型区域(3)延伸部分的上表面上；在N型本征区(4)与阳极金属(7)之间设有重掺杂P型区域(5)和轻掺杂P型区域(6)，所述重掺杂P型区域(5)与所述轻掺杂P型区域(6)相互间隔设置，所述重掺杂P型区域(5)的纵向扩散深度比轻掺杂P型区域(6)更深，所述阳极金属(7)位于重掺杂P型区域(5)和轻掺杂P型区域(6)的上表面上，并且，轻掺杂P型区域(6)的上表面与阳极金属(7)为肖特基接触(101)，重掺杂P型区域(5)低于轻掺杂P型区域(6)并由重掺杂P型区域(5)与与其相邻的两个轻掺杂P型区域(6)的侧面围合构成朝向N型本征区(4)的下陷沟槽，所述阳极金属(7)向所述下陷沟槽内延伸并充满下陷沟槽，下陷沟槽内的阳极金属(7)与轻掺杂P型区域(6)的侧面为肖特基接触(102)。
2.根据权利要求1所述的一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管，其特征在于，凹陷的重掺杂P型区域(5)的上表面要介于轻掺杂P型区域(6)的纵向扩散深度内，且扩散后，重掺杂P型区域(5)底部的杂质浓度要高于轻掺杂区域(6)底部的杂质浓度至少0.5个数量级。
3.根据权利要求1所述的一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管，其特征在于，所述的阳极轻掺杂P型区域(6)与阳极金属(7)交界面采用P型肖特基接触(101)和(102)，采用Ni金属；阳极凹陷的重掺杂P型区域(5)与阳极金属(7)交界面采用欧姆接触(11)，采用Al。
4.根据权利要求1所述的一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管，其特征在于，所述的阴极轻掺杂N型区域(3)与阴极金属(1)交界面采用N型肖特基接触(8)，采用Mg金属；阴极重掺杂N型区域(2)与阴极金属(1)交界面采用欧姆接触(9)，采用Al。
5.根据权利要求1所述的具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管，其特征在于，重浓度掺杂P型区域(5)宽度W P 为3μm～12μm，阳极金属(7)的下陷深度t ra 为2μm～8μm，相邻两个重掺杂N型区域之间的宽度W N 为4μm～10μm。
6.一种权利要求1-5任意一项所述的具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：1)制造阴极轻掺杂N型区域(3)：在N型本征区(4)的基础上，背面注入N型掺杂杂质phosphorus后，经推阱形成轻掺杂N型区域(3)，2)制造阴极断续重掺杂N型区域(2)：在轻掺杂N型区域(3)形成之后，经涂胶、曝光、显影、刻蚀光刻胶后，形成重掺杂N型注入窗口，进行N型重掺杂，并去胶，3)制造阳极轻掺杂P型区域(6)：在N型本征区(4)的基础上，正面注入低浓度的P型boron掺杂后，经推阱形成轻掺杂P型区域(6)，4)制造阳极重掺杂P型区域(5)：先在轻掺杂P型区域(6)上刻蚀掉间距相等，宽度为W P 、深度为t ra 的硅，再经涂胶、曝光、显影、刻蚀光刻胶后，最后进行P型boron掺杂后形成P型区域(5)，并去胶，5)阳极肖特基区形成：用Ni和Pt用溅射或蒸发在硅片正面形成过渡金属膜，经合金和剥离后形成肖特基接触(101)和(102)，刻蚀掉不需要肖特基接触的区域，6)阴极肖特基区形成：用Al和Mg用溅射或蒸发在硅片反面形成过渡金属膜，经合金和剥离后形成肖特基接触(8)，刻蚀掉不需要肖特基接触的区域，7)阴极金属化：用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属Al层，形成金属阴极层，8)阳极金属化：再在硅片正面溅射或蒸发或电镀金属Al膜，经光刻、合金形成欧姆接触，制得两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤5)和6)中，通过选择具有不同功函数的金属来控制阳极和阴极载流子的注入效率的高低。
