1.一种制备碳纳米管阵列的装置，其包括：一反应室，该反应室包括间隔设置的一第一进口和一第二进口，所述第一进口用于向反应室内部通入碳源气体和保护气体；一气体扩散单元，该气体扩散单元位于所述反应室内，所述气体扩散单元为一中空结构并且具有一空间、一通孔和一出口；一气体传输管，该气体传输管包括相对一第一端和一第二端，该第一端从所述第二进口延伸出所述反应室，所述第二端位于所述反应室内并与所述通孔连接；以及一生长基底，该生长基底悬空设置于所述气体扩散单元上并覆盖所述出口，所述生长基底具有多个间隔设置的第二通孔。
2.如权利要求1所述的制备碳纳米管阵列的装置，其特征在于，所述气体扩散单元包括一底壁和一侧壁，所述通孔位于该侧壁上，所述出口与该底壁相对设置。
3.如权利要求2所述的制备碳纳米管阵列的装置，其特征在于，所述侧壁上设置一个或多个台阶，并且该一个或多个台阶位于所述空间内。
4.一种制备碳纳米管阵列的方法，该方法采用如权利要求1-3任意一项所述的制备碳纳米管阵列的装置，其包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底具有相对的一第一基底表面和一第二基底表面，所述生长基底具有多个间隔设置的第二通孔，该多个第二通孔从所述第一基底表面贯穿至所述第二基底表面；在所述第一基底表面设置一催化剂层；将所述生长基底设置于所述气体扩散单元上并覆盖所述出口；从所述第一进口向反应室内部通入碳源气体和保护气体，加热所述生长基底至第一温度，在所述第一基底表面生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，每一碳纳米管具有一根部；以及从所述第一端向气体传输管通入含氧气体或者含氧气体和保护气体的混合气体，加热所述碳纳米管阵列至第二温度，从而氧化所述碳纳米管的根部。
5.如权利要求4所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，将所述催化剂层设置在所述第一基底表面之前，在所述该第一基底表面上设置一催化剂载体层，所述催化剂载体层的材料为铝、氧化铝、氧化硅或氧化镁。
6.如权利要求4所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，所述含氧气体的体积流量为300～500标准毫升/分钟，所述碳纳米管阵列和所述含氧气体的反应时间为5分钟至20分钟，所述反应室的压强为2托至8托。
7.如权利要求4所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，氧化所述碳纳米管的根部的过程中，停止通入所述碳源气体，继续从所述第一进口通入所述保护气体，并且从所述第一端通入所述含氧气体。
8.如权利要求4所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，氧化所述碳纳米管的根部的过程中，停止从所述第一进口通入所述碳源气体和所述保护气体，并且从所述第一端通入所述保护气体和所述含氧气体。
9.如权利要求4所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，氧化所述碳纳米管的根部之后，进一步包括一使所述碳纳米管阵列与所述生长基底分离的步骤。
10.如权利要求9所述的制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于，使所述碳纳米管阵列与所述生长基底分离的方法包括仅轻轻晃动所述生长基底、仅将所述生长基底倾斜或者仅用气流吹所述碳纳米管阵列。
