1.一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，所述方法包括以下步骤：（1）将硅片浸入黑硅制绒液中进行制绒；其中，所述黑硅制绒液包含0.01-200 mmol/L的金属离子盐、1-10 mol/L的氢氟酸和0.1-10 mol/L的硝酸；（2）用去离子水清洗所述步骤（1）中制得的制绒后的硅片，吹干；（3）在10-60℃下，采用黑硅清洗液清洗所述步骤（2）中得到的吹干后的硅片30秒至10分钟，以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；其中，所述黑硅清洗液是浓度为20-80 wt%的硝酸溶液；（4）用去离子水清洗所述步骤（3）中得到的黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和（5）重复步骤（1）至（4），直至黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的黑硅清洗液为原料配制所述步骤（1）中所述的黑硅制绒液；其中，所述黑硅制绒液和所述黑硅清洗液的使用寿命为100000-120000片硅片，以及所述达到使用寿命的黑硅清洗液的用量为所述黑硅制绒液体积的15-70%。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅片为P型金刚线切多晶硅片、P型金刚线切单晶硅片、N型金刚线切单晶硅片或P型砂浆切割多晶硅片。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述黑硅制绒液包含一种或两种金属离子盐。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属离子盐选自银离子盐和铜离子盐。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述银离子盐为硝酸银。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述铜离子盐为硝酸铜。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述黑硅制绒液包含0.1-0.5 mmol/L的硝酸银和0-50 mmol/L的硝酸铜。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述黑硅制绒液中氢氟酸的浓度为3-4.5mol/L；硝酸的浓度为2-6 mol/L。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述硝酸的浓度为4 mol/L。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤（1）中制绒的温度为8-80℃；时间为30秒至10分钟。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述步骤（1）中制绒的温度为25-30℃。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述步骤（1）中制绒的时间为3-5分钟。
13.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述黑硅清洗液中硝酸的浓度为20-69 wt%。
14.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤（3）中采用黑硅清洗液清洗的温度为25-40℃；时间为3-5分钟。
15.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤（2）和所述步骤（4）中清洗后的去离子水用于配制黑硅制绒液和/或黑硅清洗液。
16.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤（2）中清洗后的去离子水用于配制黑硅制绒液，而所述步骤（4）中清洗后的去离子水用于配制黑硅清洗液。
17.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法包括以下步骤：（1）将硅片浸入黑硅制绒液中进行制绒，制绒的温度为25-30℃，时间为3-5分钟；其中，所述黑硅制绒液包含0.1-0.5 mmol/L的硝酸银、0-50 mmol/L的硝酸铜、3-4.5 mol/L的氢氟酸和2-6 mol/L的硝酸；（2）用去离子水清洗所述步骤（1）中制得的制绒后的硅片，吹干；（3）在25-40℃下，采用黑硅清洗液清洗所述步骤（2）中得到的吹干后的硅片3-5分钟，以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；其中，所述黑硅清洗液是浓度为20-69 wt%的硝酸溶液；（4）用去离子水清洗所述步骤（3）中得到的黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和（5）重复步骤（1）至（4），直至黑硅制绒液和黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的黑硅清洗液为原料配制所述步骤（1）中所述的黑硅制绒液；其中，所述黑硅制绒液和所述黑硅清洗液的使用寿命为100000-120000片硅片，以及所述达到使用寿命的黑硅清洗液的用量为所述黑硅制绒液体积的15-70%。
