存储器件的读取方法

1.一种存储器件的读取方法，所述存储器件包括阻变存储器和与所述阻变存储器串联的选通管，其特征在于，所述方法包括：施加读取电压，使得当所述阻变存储器处于低阻态时所述选通管开启，并且当所述阻变存储器处于高阻态时所述选通管不开启；以及根据读取得到的电阻值来判断所述存储器件的存储状态；所述读取电压V read 满足以下公式：且 其中，V th 为所述选通管的开启电压，R off 为所述选通管开启前的电阻值，LRS为所述阻变存储器低阻态时的电阻值，HRS为所述阻变存储器高阻态时的电阻值。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选通管的开启电压V th 在一定范围内变化，所述读取电压V read 满足以下公式：且 其中，V th1 为所述选通管的开启电压V th 的最大值，V th2 为所述选通管的开启电压V th 的最小值。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，若读取得到的电阻值接近LRS的值，将存储状态定义为1；若读取到的电阻值接近HRS+R off 的值，将存储状态定义为0。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变存储器包括第一TiN层、TaOx层、TiOx层和第二TiN层。 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选通管包括第一TiN层、NbOx层和第二TiN层。