1.一种基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，包括：确定与初始变压器T型等值电路模型对应的目标变压器的目标参数；在所述初始变压器T型等值电路模型的第一绕组补偿与所述目标参数中的第一绕组的自漏抗对应的电感，和补偿与所述目标参数中的第一绕组中的绕组电阻对应的电阻；根据所述目标参数中的第二绕组的自漏抗和所述第二绕组的绕组电阻确定短路阻抗；将所述短路阻抗分配至所述初始变压器T型等值电路模型中的第二绕组；确定所述初始变压器T型等值电路模型的励磁支路参数；根据所述励磁支路参数、经补偿所述电阻和所述电感后的第一绕组、经分配所述短路阻抗后的第二绕组构建变压器仿真模型。
2.根据权利要求1所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，还包括：根据所述目标参数中的第二绕组的绕组电阻、所述目标参数中的第二绕组的额定电流以及所述目标变压器的额定容量计算铜损；将所述铜损分配至所述初始变压器T型等值电路模型中的第二绕组。
3.根据权利要求2所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，若所述目标变压器为双绕组变压器，则所述确定与初始变压器T型等值电路模型对应的目标变压器的目标参数包括：利用单臂电桥确定所述目标变压器的第一绕组的绕组电阻和第二绕组的绕组电阻；根据预先存储的与目标变压器对应的目标信息确定所述目标变压器的第一绕组的自漏抗参数和所述目标变压器的第二绕组的自漏抗参数；将所述目标变压器的第一绕组的绕组电阻、所述目标变压器的所述第二绕组的绕组电阻、所述目标变压器的第一绕组的自漏抗参数以及所述目标变压器的第二绕组的自漏抗参数作为所述目标参数。
4.根据权利要求1所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，所述确定所述初始变压器T型等值电路模型的励磁支路参数包括：确定所述目标变压器的第一绕组的空心电抗；计算所述空心电抗和所述目标变压器的第一绕组的自漏抗参数的差值；根据所述差值确定与所述初始变压器T型等值电路模型中的饱和电流源的对应的励磁支路电抗；将所述励磁支路电抗作为所述励磁支路参数。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，所述在所述初始变压器T型等值电路模型的第一绕组补偿与所述目标参数中的第一绕组的自漏抗对应的电感，和补偿与所述目标参数中的第一绕组中的绕组电阻对应的电阻包括：确定所述目标变压器的第一绕组的自漏抗和所述目标变压器的第一绕组的绕组电阻；确定与所述目标变压器的第一绕组的自漏抗对应的电感和与所述目标变压器的第一绕组的绕组电阻对应的电阻；将所述电阻和所述电感串联至所述初始变压器T型等值电路模型的第一绕组以对所述初始变压器T型等值电路模型的第一绕组进行补偿。
6.根据权利要求5所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法，其特征在于，所述根据所述励磁支路参数、经补偿所述电阻和所述电感后的第一绕组、经分配所述短路阻抗后的第二绕组构建变压器仿真模型包括：确定与所述励磁支路参数对应的饱和电流源的额定励磁电流；在所述第一绕组中确定所述饱和电流源的注入点；通过所述注入点向经补偿所述电阻和所述电感的第一绕组和经分配所述短路阻抗的第二绕组输入所述额定励磁电流；将经补偿所述电阻和所述电感的第一绕组作为所述变压器仿真模型的新的第一绕组、将所述注入点和所述饱和电流源作为所述变压器仿真模型的励磁支路、将经分配所述短路阻抗的第二绕组作为所述变压器仿真模型的新的第二绕组。
7.一种基于PSCAD的变压器仿真模型构建装置，其特征在于，包括：目标参数确定模块，用于确定与初始变压器T型等值电路模型对应的目标变压器的目标参数；补偿模块，用于在所述初始变压器T型等值电路模型的第一绕组补偿与所述目标参数中的第一绕组的自漏抗对应的电感，和补偿与所述目标参数中的第一绕组中的绕组电阻对应的电阻；短路阻抗确定模块，用于根据所述目标参数中的第二绕组的自漏抗和所述第二绕组的绕组电阻确定短路阻抗；分配模块，用于将所述短路阻抗分配至初始变压器T型等值电路模型中的第二绕组；励磁支路参数确定模块，用于确定所述初始变压器T型等值电路模型中的励磁支路参数；仿真模型构建模块，用于根据励磁支路参数、经补偿所述电阻和电感后的第一绕组、经分配所述短路阻抗后的第二绕组构建变压器仿真模型。
8.根据权利要求7所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建装置，其特征在于，还包括：计算模块，用于根据所述目标参数中的第二绕组的绕组电阻、所述目标参数中的第二绕组的额定电流以及所述目标变压器的额定容量计算铜损；铜损分配模块，用于将所述铜损分配至所述初始变压器T型等值电路模型中的第二绕组。
9.一种基于PSCAD的变压器仿真模型构建设备，其特征在于，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述存储器中存储的计算机程序以实现如权利要求1至6任一项所述的基于PSCAD的变压器仿真模型构建方法的步骤。
