1.一种自整流阻变存储器，包括：下电极；其中，下电极材料包括W；阻变材料层，由所述下电极在富氧环境中进行高温退火形成，用于作为存储介质；其中，退火温度为200℃至400℃；其中，所述阻变材料层的材料包括WO x ；其中，所述阻变材料层厚度为5nm至60nm；阻挡层，形成于所述阻变材料层上；其中，阻挡层材料包括HfO 2 ；其中，所述阻挡层的厚度包括2nm，所述自整流阻变存储器上电极与下电极之间的操作电压小于5V；以及上电极，形成于所述阻挡层上，其与所述阻挡层的材料实现肖特基接触；其中，利用所述上电极和所述阻挡层的材料之间的肖特基接触，实现自整流阻变存储器的自整流。
2.根据权利要求1所述的自整流阻变存储器，所述上电极形成于阻挡层之上，包括单质W、Al、Cu、Ru、Ti、Ta，以及导电金属化合物TiN、TaN、IrO 2 、ITO、IZO中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的自整流阻变存储器，其中，所述上电极采用Pd材料。
4.一种制备如权利要求1至3中任一项所述自整流阻变存储器的方法，包括：步骤S1，形成下电极；步骤S2，在下电极层上形成阻变材料层；步骤S3，在阻变材料层之上形成阻挡层；以及步骤S4，在阻挡层之上形成上电极，与所述阻挡层的绝缘材料实现肖特基接触。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述下电极通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、溅射方法中的一种制备完成；所述阻变材料层采用热氧化的方式制备而成，采用下电极在富氧环境中进行高温退火；所述阻挡层通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、溅射方法中的一种制备完成；所述上电极通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、溅射方法中的一种制备完成。
