一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法

1.一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，其特征在于：按照以下步骤实施：步骤1：采用RCA清洗液-丙酮-酒精-去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用热板对涂胶晶片进行前烘，前烘工艺参数是，温度80℃-120℃，时间5S-10min；步骤4：使用光刻机对涂胶晶片进行光刻版掩蔽曝光；步骤5：使用显影液显影；步骤6：使用热板对显影后的光刻胶进行坚膜，坚膜工艺参数是，温度90℃-150℃，时间30S-30min；步骤7：使用高温真空设备再对坚膜后的光刻胶进行碳化，碳化工艺参数是，压强低于10 -3 Pa，碳化温度700℃-1000℃，时间20min-1h；步骤8：使用高温真空设备再对碳化处理后的光刻胶晶片进行高温退火，退火工艺参数是，压强低于10 -3 Pa，碳化温度1500℃-2000℃，时间1min-10min。