密码芯片的抗功耗分析电路和方法

1.一种密码芯片的抗功耗分析电路，其特征在于，所述密码芯片的抗功耗分析电路包括：电源模块，用于对密码芯片的输入电压VCC进行稳压；以及功耗补偿模块，与所述电源模块电性连接，基于所述电源模块的功耗变化情况，产生与所述电源模块功耗变化方向相反的电流；其中，所述与电源模块功耗变化方向相反的电流的电流值与所述电源模块的电流值相加的和是一个与所述芯片内部电路的工作电流无关的电流值，其中，所述电源模块包括：放大器，所述放大器的反相输入端与基准参考电压的输入端相连；第一晶体管，其源极与所述输入电压VCC相连，其栅极与所述放大器的输出端相连，其漏极与所述内部电路相连；第一电阻，连接在所述第一晶体管的漏极和所述放大器的同相输入端之间；以及第二电阻，连接在所述放大器的同相输入端和所述抗功耗分析电路的地端之间，所述功耗补偿模块包括：第二晶体管，其源极与所述输入电压VCC相连，其栅极与所述第一晶体管的栅极相连；第三晶体管，其源极与所述输入电压VCC相连；第四晶体管，其源极与所述输入电压VCC相连；第五晶体管，其源极与所述抗功耗分析电路的地端相连，其栅极和漏极与所述第二晶体管的漏极相连；第六晶体管，其源极与所述抗功耗分析电路的地端相连，其栅极与所述第五晶体管的栅极和漏极均相连；第七晶体管，其源极与所述抗功耗分析电路的地端相连，其漏极与所述第四晶体管的漏极相连；第八晶体管，其源极与所述抗功耗分析电路的地端相连，其栅极与所述第七晶体管的栅极和漏极均相连，其漏极与所述第三晶体管的源极相连；以及参考电流源，其一端与所述抗功耗分析电路的地端相连，另一端与所述第三晶体管的栅极和漏极均相连；其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管的尺寸比例为N：1：1：1：1：1：1：N，其中N为正数。 2.根据权利要求1所述的密码芯片的抗功耗分析电路，其特征在于，所述电源模块还包括：基准参考电压产生模块，用于为所述电源模块提供稳定的基准参考电压。 3.根据权利要求1所述的密码芯片的抗功耗分析电路，其特征在于，所述功耗补偿模块还包括：干扰电流模块，包括一个或多个干扰电流单元，所述一个干扰电流单元由一个晶体管的漏极连接一个开关的一端的形式组合而成，所述干扰电流单元中的开关的另一端与所述第六晶体管的漏极以及所述第七晶体管的漏极均相连，所述干扰电流单元中的晶体管的源极与所述输入电压VCC相连，所述干扰电流单元中的晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极和漏极以及所述第四晶体管的栅极均相连；以及随机数产生模块，所述随机数产生模块与所述干扰电流单元中的开关控制端相连，用于控制干扰电流单元的开关。