晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法

1.一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法，其特征在于，在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估，所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估；包括如下步骤：执行电特性测试，所述电特性测试包括测试所述探针卡与所述测试单元是否接触良好；执行初始化测试，所述初始化测试包括对所述测试单元进行初次编程窗口测试，所述编程窗口测试用于所述数据保持能力评估，其步骤包括：以存储器直接控制方式对所述测试单元中的非易失性存储器的每个存储单元写入数据、以及利用外加读电压的方式对所述每个存储单元进行读取确认，所述外加读电压在某个范围内逐级加压，每隔一定电压值进行一次读取确认，如果某一存储单元的数据状态发生反转，则该存储单元定义为失效；执行擦写循环，所述擦写的过程是将所述每个存储单元的数据进行擦除后再对所述每个存储单元写入数据；当累计擦写循环次数到达某些数值之后，执行擦写后的编程窗口测试和擦除速度测试以及功能校验测试；以及将所有测试数据进行提取分析从而评估所述非易失性存储器的寿命特性。 2.根据权利要求1所述的晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法，其特征在于，所述擦除速度测试用于所述擦写能力评估，其步骤包括在固定时间内，外加电压给所述擦除的操作供电，在一定范围逐级加压，每隔一定电压值执行一次擦除操作，然后对所述每个存储单元进行一次读取，如果某一存储单元的数据状态没有发生反转，则该存储单元定义为失效。 3.根据权利要求1所述的晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法，其特征在于，所述功能校验测试是指测试所述非易失性存储器功能是否正常，如出现失效则记录失效信息。 4.根据权利要求1所述的晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法，其特征在于，所述初始化测试还包括多字节写校准，所述多字节写校准是以单字节写的编程窗口测试特性作为基准，进行多字节写校准，目的是确保多字节写的强度与单字节写的强度一致。 5.根据权利要求4所述的晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法，其特征在于，所述执行擦写循环中对所述每个存储单元写入数据的方式为多字节写入的方式。