1.一种太赫兹场的检测装置，包括：电子枪，用于朝向设定目标点发射电子束；太赫兹发射机构，用于向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；成像单元，与所述设定目标点对接，以显示所述电子束的束斑；以及确定单元，配置成基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度；所述确定单元配置成基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅，所述振幅与所述最大偏移量成正比；其中，所述最大偏移量为所述成像单元显示的所述束斑偏移所述设定目标点最大的最大偏移点的偏移量。
2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述脉冲宽度；或者，所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在所述成像单元显示的亮度值确定所述脉冲宽度。
3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述确定单元配置成基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差 在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 其中，α为所述束斑的长轴与所述成像单元的水平坐标轴之间的夹角；x m 为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的水平坐标轴上的坐标；y m 为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的竖向坐标轴上的坐标；k x 常数，通过标定确定；k y 常数，通过标定确定。
4.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括：磁铁机构，用于对所述电子束施加磁场，以将所述太赫兹场对所述电子束流经方向上的加速转化为在所述成像单元竖向或水平方向的偏转。
5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，在所述太赫兹光束与所述电子束垂直相交的情况下，并且在所述束斑的分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 其中，B为所述磁铁机构的磁场强度。
6.一种太赫兹场的检测方法，其特征在于，包括：向设定目标点发射电子束，向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；在所述设定目标点及其周围记录所述电子束的束斑；基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度；基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅；并且所述振幅与所述最大偏移量成正比；其中，所述最大偏移量为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的最大偏移点的偏移量。
7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述太赫兹场的脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ 0 N 1 /(N 1 +N 2 )，其中，τ 0 为所述电子束的脉冲宽度，N 1 为所述束斑的分布中落在所述设定目标点的斑点数目，N 2 为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目；或者，基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值确定所述脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ 0 M 1 /(M 1 +M 2 )，其中，τ 0 为所述电子束的脉冲宽度，M 1 为所述束斑中落在所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值，M 2 为所述束斑中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值。
8.根据权利要求6至7中任一项所述的检测方法，其特征在于，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数操作包括：基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差 在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 其中，α为所述束斑的长轴与水平线之间的夹角；x m 和y m 为所述束斑的分布中相对所述设定目标点的最大偏移点分别在水平坐标轴和竖向坐标轴上的坐标；k x 为常数，通过标定确定；k y 为常数，通过标定确定。
