1.一种静电吸附基底的方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有一正面和一与所述正面相对的背面，在所述基底的背面上形成有一掺杂有导电粒子的膜层，在所述基底背面的所述膜层上还形成有一掩蔽层，所述掩蔽层覆盖所述膜层；以及，利用一静电吸盘从所述基底的背面吸附所述基底，其中，所述静电吸盘中产生有电荷并吸引所述膜层中的导电粒子，以吸附固定所述基底。
2.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述基底的电阻率大于等于750Ω·cm。
3.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述膜层的电阻率小于等于20Ω·cm。
4.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述膜层为多晶硅层。
5.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述膜层的形成方法包括：在所述基底的正面和背面上分别形成一掺杂有导电粒子的薄膜材料层；去除位于所述基底的正面上的所述薄膜材料层，并保留位于所述基底的背面上的所述薄膜材料层，以构成所述膜层。
6.根据权利要求5中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，在形成所述薄膜材料层之前还包括：在所述基底的正面上形成一刻蚀停止层；以及，在去除位于所述基底的正面上的所述薄膜材料层之后，去除所述刻蚀停止层。
7.根据权利要求6中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层包括二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种或两种及以上的叠层。
8.根据权利要求1所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述掩蔽层包括氧化硅层。
9.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述膜层的厚度介于300埃～2000埃之间。
10.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述膜层的形成方法包括化学气相沉积。
11.根据权利要求1中所述的静电吸附基底的方法，其特征在于，所述基底为硅基底。
