1.一种通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于，吸波体由多个呈阵列排布的周期性单元结构组成；周期性单元结构包括电控开关屏、周期阻抗层以及泡沫层，电控开关屏、周期阻抗层分别设置在泡沫层的上下侧，所述泡沫层支撑在电控开关屏与周期阻抗层之间将两者分隔开；所述电控开关屏包括介质基板，所述介质基板的上表面上贴覆有“田”字型的金属栅格网络，所述金属栅格网络的每个栅格内的介质基板上均贴覆有金属贴片，所述金属贴片设置在每个栅格的中间且金属贴片的边缘与栅格网络之间均保留有间距，每个金属贴片与栅格网络之间均连接有相同数量的多个均匀排布的二极管，二极管的数量为4的整数倍个；所述介质基板的下表面设置有控制上表面二极管工作状态的“井”字型的馈电网络，各金属贴片的中心位置以及其中心位置对应的介质基板上均开设有连接介质基板下表面馈电网络的导电通孔，介质基板上表面的金属贴片与介质基板下表面的馈电网络通过导电通孔实现电连接，馈电网络接正极，栅格网络接负极，就会在二极管两端形成电势差，从而控制二极管的通断状态；所述周期阻抗层包括阻抗层介质基板，阻抗层介质基板上设置有阻抗层金属贴片和贴片电阻，所述阻抗层金属贴片上加载有贴片电阻。
2.根据权利要求1所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述电控开关屏上的二极管未导通时，介质基板上表面的金属贴片以及栅格网络和介质基板下表面的馈电网络形成谐振，电控开关屏在工作频带形成一个通带，而对带外信号进行反射；电控开关屏上的二极管导通后，介质基板上表面的金属贴片与栅格网络产生电连接，介质基板上表面的金属贴片以及栅格网络和介质基板下表面的馈电网络的谐振结构被破坏，谐振频点消失，通带关闭，全频带反射。
3.根据权利要求1所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：电控开关屏上的金属贴片与栅格网络之间的间距均相等；相邻金属贴片之间的间距相等，所有金属贴片的大小形状完全相同，各金属贴片上连接的二极管的位置以及数量完全相同；所述电控开关屏以及上设置的金属贴片、二极管、金属栅格以及馈电网络为左右对称且上下对称结构。
4.根据权利要求1所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述阻抗层金属贴片包括设置在靠近阻抗层介质基板边缘的一圈与阻抗层介质基板形状相同的环形金属贴片以及设置在阻抗层介质基板中间同时也在环形金属贴片内侧的一阶闵可夫斯基分形环金属贴片，所述环形金属贴片以及一阶闵可夫斯基分形环金属贴片均加载有贴片电阻。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述电控开关屏、周期阻抗层以及泡沫层均为方形；所述电控开关屏上的金属贴片为方形或者圆形的金属贴片；所述周期阻抗层上的环形金属贴片为方环形金属贴片或者圆环形金属贴片。
6.根据权利要求4所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述环形金属贴片以及一阶闵可夫斯基分形环金属贴片均加载有为多个贴片电阻，所述多个贴片电阻均分别设置在吸波体吸收谐振频率时电流分布最大的位置。
7.根据权利要求6所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：加载在一阶闵可夫斯基分形环金属贴片上的多个贴片电阻的阻值型号完全相同；加载在环形金属贴片上的多个贴片电阻的阻值型号完全相同。
8.根据权利要求6所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述周期阻抗层包括阻抗层介质基板上设置的阻抗层金属贴片和贴片电阻整体都呈左右对称且上下对称结构。
9.根据权利要求1所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述泡沫层为聚甲基丙烯酰亚胺泡沫层。
10.根据权利要求9所述的通带可控的双边频宽带吸波体，其特征在于：所述泡沫层的厚度为吸波体吸波谐振频点的四分之一波长的奇数倍。
