1.一种纳米带的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一半导体薄膜，在所述半导体薄膜的表面设置多个条状掩模块，该多个掩模块平行且间隔设置，条状掩模块的厚度为H，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该条状掩模块远离半导体薄膜的表面为第一区域，该条状掩模块的侧表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的半导体薄膜的表面为第三区域；以所述多个条状掩模块为掩模，所述半导体薄膜表面沉积一第一薄膜层，该第一薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 1 ，且θ 1 <tan -1 (L/H)；改变沉积方向，以所述多个条状掩模块为掩模，向所述半导体薄膜表面沉积一第二薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 2 ，θ 2 <tan-1[L/(H+D)]，且所述第一薄膜层和第二薄膜层覆盖整个第二区域，并使得0<L-Htanθ 1 -(H+D)tanθ 2 <10nm，则该第一薄膜层与第二薄膜层在第三区域内部分重叠；去除条状掩模块，得到部分重叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层；沿厚度方向干法刻蚀所述第一薄膜层及第二薄膜层，使非重叠区域全部被刻蚀，重叠区域仅部分被刻蚀，得到一纳米级微结构，该纳米级微结构的宽度与重叠区域的宽度相同；以所述纳米级微结构为掩模刻蚀所述半导体薄膜，得到一纳米带。
2.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述条状掩模块的厚度为H为200纳米-400纳米。
3.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，相邻条状掩模块的间隔距离L为200纳米-450纳米。
4.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 1 的范围为θ 1 ≤45°。
5.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度D的范围为D<40纳米。
6.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 2 的范围为θ 2 ≤45°。
7.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，该条状掩模块的延伸方向与沉积方向垂直，该条状掩模块的延伸方向与基板平行。
8.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层与第二薄膜层为非自支撑结构，位于第一区域及第二区域的所述第一薄膜层与第二薄膜层随条状掩模块一起去除。
9.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层与第二薄膜层为自支撑结构，位于第一区域及第二区域的所述第一薄膜层与第二薄膜层通过刻蚀去除。
10.如权利要求1所述的纳米带的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述半导体薄膜后，进一步包括去除该纳米级微结构，该纳米级微结构通过湿法刻蚀去除。
