1.一种纳米微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一光刻胶掩模层，该光刻胶掩模层的厚度为H；对该光刻胶掩模层曝光和显影得到一图案化掩模层，该图案化掩模层包括多个平行且间隔设置的条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该图案化掩模层远离基板的表面为第一区域，该图案化掩模层相对于该光刻胶掩模层增加的表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的基板的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第一薄膜层，该第一薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 1 ，且θ 1 <tan -1 (L/H)；改变沉积方向，向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第二薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 2 ，θ 2 <tan-1[L/(H+D)]，且所述第一薄膜层和第二薄膜层覆盖整个第二区域，并使得0<L-Htanθ 1 -(H+D)tanθ 2 <10nm，则该第一薄膜层与第二薄膜层在第三区域内部分重叠；去除条状掩模块，得到部分重叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层；沿着所述部分重叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层的厚度方向干法刻蚀所述第一薄膜层及第二薄膜层，使非重叠区域全部被刻蚀，重叠区域仅部分被刻蚀，从而得到一纳米微结构，该纳米微结构的宽度与重叠区域的宽度相同。
2.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述光刻胶掩模层的厚度为H为200纳米-400纳米。
3.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，相邻条状掩模块的间隔距离L为200纳米-450纳米。
4.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 1 的范围为θ 1 ≤45°。
5.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度D的范围为D<40纳米。
6.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 2 的范围为θ 2 ≤45°。
7.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，该条状掩模块的延伸方向与所述基板平行，该条状掩模块的延伸方向与沉积方向垂直。
8.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层与第二薄膜层为非自支撑结构，位于第一区域和第二区域的该第一薄膜层与第二薄膜层随条状掩模块一起去除。
9.如权利要求1所述的纳米微结构的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层与第二薄膜层为自支撑结构，位于第一区域及第二区域的所述第一薄膜层与第二薄膜层通过刻蚀去除。
10.一种纳米微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一光刻胶掩模层，该光刻胶掩模层的厚度为H；对该光刻胶掩模层曝光、显影得到一图案化掩模层，该图案化掩模层包括多个平行且间隔设置的条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该图案化掩模层远离基板的表面为第一区域，该图案化掩模层相对于该光刻胶掩模层增加的表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的基板的表面为第三区域；以条状的条状掩模块的延伸方向为旋转轴旋转所述基板，使得该基板与水平方向夹角为θ 1 ，且θ 1 <tan -1 (L/H)，沿竖直方向向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第一薄膜层，该第一掩模层的厚度为D；将该基板旋转至水平方向，以该旋转方向继续旋转基板至该基板与水平方向夹角为θ 2 ，且θ 2 <tan -1 [L/(H+D)]，沿竖直方向向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第二薄膜层，并使得0<L-Htanθ 1 -(H+D)tanθ 2 <10nm，则该第一薄膜层与第二薄膜层在第三区域内部分重叠；去除条状掩模块，得到部分重叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层；沿着所述部分重叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层的厚度方向干法刻蚀所述第一薄膜层及第二薄膜层，使非重叠区域全部被刻蚀，重叠区域仅部分被刻蚀，得到一纳米微结构，该纳米微结构的宽度与重叠区域的宽度相同。
