1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一栅极，在所述栅极远离基板的表面设置一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面设置一半导体层；在所述半导体层的表面设置两条状掩模块，该两条状掩模块相互平行且间隔设置，两条状掩模块的厚度相等均为H，两条状掩模块的间隔距离为L，设定该两条状掩模块远离半导体层的表面为第一区域，该两条状掩模块相对的两侧表面为第二区域，相邻两条状掩模块之间暴露的半导体层的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的半导体层的表面沉积一第一导电薄膜层，该第一导电薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 1 ，且θ 1 <tan -1 (L/H)；改变沉积方向，向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第二导电薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 2 ，θ 2 <tan -1 [L/(H+D)]，且所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层覆盖整个第二区域，并使得0<Htanθ 1 +(H+D)tanθ 2 -L<10nm，则该第一导电薄膜层与第二导电薄膜层在第三区域内的间隔区域为纳米级沟道，位于第三区域的所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层即作为一源极、一漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述条状掩模块的厚度H为200纳米-400纳米。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，相邻两条状掩模块的间隔距离L为200纳米-450纳米。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 1 的范围为θ 1 ≤45°。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角θ 2 的范围为θ 2 ≤45°。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该条状掩模块的延伸方向与沉积方向垂直。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，进一步包括去除两条状掩模块的步骤，该两条状掩模块通过化学试剂去除。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层为非自支撑结构，位于第一区域和第二区域的该第一导电薄膜层和第二导电薄膜层随条状掩模块一起去除。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层为自支撑结构，位于第一区域和第二区域的该第一导电薄膜层和第二导电薄膜层通过干法刻蚀去掉。
10.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置两条状掩模块，该两条状掩模块相互平行且间隔设置，两条状掩模块的厚度相等均为H，两条状掩模块的间隔距离为L，设定该两条状掩模块远基底的表面为第一区域，该两条状掩模块相对的两侧表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的基底的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的基底表面沉积一第一导电薄膜层，该第一导电薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 1 ，且θ 1 <tan -1 (L/H)；改变沉积方向，向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第二导电薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ 2 ，θ 2 <tan -1 [L/(H+D)]，且所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层覆盖整个第二区域，并使得0<Htanθ 1 +(H+D)tanθ 2 -L<10nm，则该第一导电薄膜层与第二导电薄膜层在第三区域内的间隔区域为纳米级沟道，位于第三区域的所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层即作为一源极、一漏极。
