1.一种反应腔室的下电极机构，包括用于承载被加工工件的基座，其特征在于，还包括采用绝缘材料制作的转接盘，所述转接盘设置在所述基座的底部，且在所述转接盘中设置有多条走线通道，多条所述走线通道的输入端汇聚至所述转接盘的底面中心位置处，多条所述走线通道的输出端分散布置在所述转接盘的顶面，且与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。
2.根据权利要求1所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘包括盘状本体，所述盘状本体具有贯穿其厚度的第一中心孔，且在所述盘状本体的底面形成有呈辐射状分散延伸的多条凹道，多条所述凹道的一端汇聚至所述第一中心孔；另一端与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应；在所述盘状本体中还设置有多个第一竖直通孔，各个所述第一竖直通孔的下端一一对应地与各条所述凹道的另一端连通，各个所述第一竖直通孔的上端位于所述盘状本体的顶面；所述第一中心孔、所述凹道和所述第一竖直通孔构成所述走线通道。
3.根据权利要求2所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述盘状本体为多个，且沿竖直方向依次对接，并且多个所述盘状本体的所述第一中心孔同轴；不同的所述盘状本体中的所述第一竖直通孔对应不同的所述基座中的具有不同功能的导电部件接口的位置，并且在位于任意一个所述盘状本体上方的其他盘状本体中均设置有与该盘状本体中的所述第一竖直通孔一一对应且连通的第二竖直通孔。
4.根据权利要求3所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述盘状本体为两个，分别为第一盘状本体和设置在其底部的第二盘状本体，其中，所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的直流导电部件接口；所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的交流导电部件接口。
5.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的中心，所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的边缘。
6.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述不同功能的导电部件包括射频导电部件、多条直流导线和多条交流导线，其中，所述射频导电部件依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔与所述基座电连接；多条所述直流导线依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔，所述第一盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述直流导电部件接口电连接；多条所述交流导线依次穿过所述第二盘状本体的所述第一中心孔，所述第二盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述交流导电部件接口电连接。
7.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘还包括绝缘底盘，所述绝缘底盘设置在所述第二盘状本体的底部，并且，在所述绝缘底盘中设置有与所述第一中心孔同轴的第二中心孔。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，在所述转接盘的顶面上设置有用于连接不同功能的导电部件的多个输入插头，多个所述输入插头与各条所述走线通道的输出端一一对应。
9.根据权利要求2-7任意一项所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述下电极机构还包括设置在所述第一中心孔中的集总插头，所述集总插头包括第一射频导管和设置在所述第一射频导管中的第一绝缘件，其中，所述第一射频导管通过所述第一中心孔与所述基座中的射频导电部件接口连接，并且在所述第一射频导管的外周壁上设置有环绕所述外周壁的径向通孔，所述径向通孔的高度与所述凹道的高度一致；在所述第一绝缘件中设置有沿所述第一射频导管延伸的多条第一导电通道，多条所述第一导电通道的输出端一一对应地与所述径向通孔连通；在所述第一导电通道中设置有导电接线，所述导电接线自所述第一绝缘件的下端依次经由所述第一导电通道、所述径向通孔和所述走线通道延伸至所述基座的底部，并与所述基座中的导电部件接口连接。
10.根据权利要求9所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述下电极机构还包括设置在所述基座下方的下电极腔和导电模组，其中，在所述下电极腔的腔体与所述反应腔室的侧壁之间形成有引入通道，用以使所述下电极腔与外界连通；所述导电模组集中所述不同功能的导电部件，且通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并延伸至所述盘状本体的底部，与所述集总插头连接。
11.根据权利要求10所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述导电模组包括第二射频导管和设置在所述第二射频导管中的第二绝缘件，其中，所述第二射频导管通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并与所述第一射频导管连接；在所述第二绝缘件中设置有沿所述第二射频导管延伸的多条第二导电通道，多条所述第二导电通道的输出端一一对应地与所述第一导电通道的输入端连接，用以将所述导电部件引入至所述第一导电通道的输入端，并与所述导电接线连接。
12.根据权利要求1所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘所采用的材料包括聚醚酰亚胺绝缘材料或者聚醚醚酮绝缘材料。
13.根据权利要求10所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述基座包括基座本体和设置在所述基座本体底部的绝缘盘，所述绝缘盘用于使所述基座本体与所述下电极腔的腔体电绝缘；所述转接盘内嵌在所述绝缘盘中，且与所述基座本体相接触。
14.一种反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室内设置有权利要求1-13任意一项所述的下电极机构。
