1.一种半导体器件，其包括:一栅极，该栅极为一层状结构；一绝缘层，所述绝缘层设置于栅极的表面；两个基于碳纳米管的不对称范德华异质结构设置于所述绝缘层的表面，该两个基于碳纳米管的不对称范德华异质结构包括：一第一碳纳米管及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面；一P型半导体层及一N型半导体层，所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管，并设置于绝缘层的表面，所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管，并设置于绝缘层的表面；一导电膜，所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面，其中，P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间，N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间；一第一电极，该第一电极与第一碳纳米管电连接；一第二电极，该第二电极与第二碳纳米管电连接；以及一第三电极，该第三电极与导电膜电连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管为金属型碳纳米管。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一碳纳米管、P型半导体层及导电膜相互叠加形成一第一多层立体结构，该第一多层立体结构的横截面的面积为0.25nm 2 ～1000nm 2 。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一多层立体结构的横截面的面积为1nm 2 ～100nm 2 。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二碳纳米管、N型半导体层及导电膜相互叠加形成一第二多层立体结构，该第二多层立体结构的横截面的面积为0.25nm 2 ～1000nm 2 。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型半导体层或N型半导体层的厚度为1nm～100nm。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述导电膜的厚度为5nm～100nm。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电膜跨过P型半导体层和N型半导体层，所述导电膜一部分位于P型半导体层远离绝缘层的表面；一部分位于N型半导体层远离绝缘层的表面；一部分位于P型半导体层和N型半导体层之间，设置于绝缘层的表面。
