半导体元件

1.一种半导体元件，其包括：一半导体结构，所述半导体结构包括相互层叠设置的P型半导体层及N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；其中，所述半导体元件为一基于碳纳米管的不对称范德华异质结构，所述半导体结构为一二维结构，其被不对称的夹在所述碳纳米管和所述导电膜之间。 2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述碳纳米管为金属型碳纳米管。 3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。 4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述多层立体结构的横截面面积在1平方纳米～100平方纳米之间。 5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体结构的厚度为1纳米～100纳米。 6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。 7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述导电膜的厚度为5纳米～100纳米。 8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体结构的第一表面为P型半导体层的表面，第二表面为N型半导体层的表面。 9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体结构的第一表面为N型半导体层的表面，第二表面为P型半导体层的表面。 10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型半导体层和N型半导体层层叠设置形成一P-N结。