1.一种太阳能电池，其包括：一半导体结构，所述半导体结构包括相互层叠设置的P型半导体层及N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一背电极设置于半导体结构的第一表面，所述背电极为一碳纳米管；一透明导电膜，该透明导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和透明导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与透明导电膜相互层叠形成一多层立体结构，所述透明导电膜为上电极，其中，所述太阳能电池为一基于碳纳米管不对称范德华异质结构，所述半导体结构为一二维结构，其被不对称的夹在所述碳纳米管和所述透明导电膜之间。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管为金属型碳纳米管。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多层立体结构的横截面面积在1平方纳米～10000平方纳米之间。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体结构的厚度为1纳米～1000纳米。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜的厚度为5纳米～100纳米。
8.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：一栅极及一绝缘层，所述绝缘层设置于栅极的表面；一半导体结构设置于绝缘层的表面，通过所述绝缘层与栅极绝缘设置，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一背电极设置于半导体结构的第一表面，该背电极为一碳纳米管；一上电极，该上电极为一透明导电膜，该透明导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和透明导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与透明导电膜相互层叠形成一多层立体结构；其中，所述太阳能电池进一步包括一第一电极和一第二电极，所述第一电极与碳纳米管电连接，所述第二电极与透明导电膜电连接，所述太阳能电池为基于碳纳米管的不对称范德华异质结构，所述半导体结构为一二维结构，其被不对称地夹在所述碳纳米管和所述透明导电膜之间。
9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管设置在绝缘层的表面，所述半导体结构覆盖碳纳米管设置在绝缘层的表面。
10.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极设置在碳纳米管的一端并贴合碳纳米管表面，所述第二电极设置在透明导电膜的一端并贴合透明导电膜的表面。
