1.一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液，其特征在于，包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；所述氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水之间的体积配比为1~5:2~5:5~30:5~30；所述二氧化硅刻蚀液由氢氟酸与水或氟化铵与水混合而成，或者二氧化硅刻蚀液是HF与NH4F依不同比例混合而成。
2.根据权利要求1所述的腐蚀溶液，其特征在于，所述氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水之间的体积配比为1~5:3:10:10。
3.一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的方法，其特征在于，包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，所述特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水，且所述氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水之间的体积配比为1~5:2~5:5~30:5~30；所述二氧化硅刻蚀液由氢氟酸与水或氟化铵与水混合而成，或者二氧化硅刻蚀液是HF与NH4F依不同比例混合而成；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，所述反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸，且所述氢氟酸、硝酸和冰醋酸之间的体积配比为1:3~8:50~100；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定所述待测芯片的类型。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片器件层上的二氧化硅之前，还包括：去除所述待测芯片的金属层，并利用所述特性腐蚀溶液对所述待测芯片进行调整，确定所述待测芯片的多晶层。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干之前，还包括：利用双氧水腐蚀掉所述待测芯片的接触孔。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，包括：利用特性腐蚀溶液多次腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，且每次的腐蚀时间不超过1分钟。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，包括：将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中浸泡10~30秒。
8.根据权利要求3-7任一所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水之间的体积配比为1~5:3:10:10。
9.根据权利要求3-7任一所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸、硝酸和冰醋酸之间的体积配比为1:5:80。
