1.一种阻变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底的生长面包括多个台体；在所述衬底的生长面上形成下电极薄膜，所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域高于所述多个台体之间的凹槽区域；在所述下电极薄膜背离所述衬底一侧形成绝缘层，所述绝缘层对应所述台体的顶面的区域为镂空区域；在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成阻变层，所述阻变层与所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域接触；在所述阻变层背离所述衬底一侧形成多个上电极，所述上电极与所述台体一一对应，所述台体的顶面直径决定所述上电极的尺寸大小。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述多个台体的形成包括：在所述衬底的生长面上旋涂光刻胶，并图形化所述光刻胶；采用ICP刻蚀工艺在所述衬底的生长面刻蚀形成多个台面。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述台体的顶面直径范围为10nm-100nm，包括端点值；所述台体的底面直径范围为1um-3um，包括端点值；以及，所述台体的高度范围为0.5um-2um，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述下电极薄膜为钛层和铂层的叠层薄膜；其中，所述钛层位于所述衬底与所述铂层之间。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述钛层的厚度范围为1nm-10nm，包括端点值；以及，所述铂层的厚度范围为5nm-20nm，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅绝缘层。
7.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围大于1um。
8.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述阻变层为HfOx阻变层。
9.根据权利要求1所述的阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述上电极为铜电极。
10.一种阻变存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的生长面包括多个台体；位于所述衬底的生长面上的下电极薄膜，所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域高于所述多个台体之间的凹槽区域；位于所述下电极薄膜背离所述衬底一侧的绝缘层，所述绝缘层对应所述台体的顶面的区域为镂空区域；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的阻变层，所述阻变层与所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域接触；以及，位于所述阻变层背离所述衬底一侧的多个上电极，所述上电极与所述台体一一对应，所述台体的顶面直径决定所述上电极的尺寸大小。
