1.一种光电探测元件，其包括：一碳纳米管结构、一第一电极及一第二电极，所述碳纳米管结构分别与所述第一电极、第二电极电连接，其特征在于，所述碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，且该两个金属性碳纳米管片段分别与所述第一电极、第二电极电连接，所述碳纳米管结构是通过在生长碳纳米管的过程中施加变换方向的电场形成的结构，所述变换方向的电场包括给催化碳纳米管生长的催化剂层充正电荷的正向电场和给催化剂层充负电荷的负向电场。
2.如权利要求1所述的光电探测元件，其特征在于，该第一电极、第二电极分别设置于该两个金属性碳纳米管片段表面。
3.如权利要求1所述的光电探测元件，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且该多根碳纳米管沿同一方向延伸。
4.如权利要求1所述的光电探测元件，其特征在于，相邻的碳纳米管中金属性碳纳米管片段的长度一致，相邻碳纳米管中半导体性碳纳米管片段的长度一致。
5.如权利要求1所述的光电探测元件，其特征在于，所述半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段通过肖特基势垒连接。
6.如权利要求1所述的光电探测元件，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管，该单壁碳纳米管的直径小于2纳米。
7.一种光电探测器，其包括：一光电探测元件和一电流检测装置，其特征在于，所述光电探测元件为如权利要求1至6中任意一项所述的光电探测元件。
8.如权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，进一步包括一与该第一电极和第二电极连接的电源，该电源用于在第一电极和第二电极之间形成偏压。
9.如权利要求8所述的光电探测器，其特征在于，所述电源与所述电流检测装置、第一电极、第二电极以及所述碳纳米管结构连接形成一回路。
10.如权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，进一步包括一基底，该基底用于支撑所述碳纳米管结构。
