1.一种光电转换装置，其包括一光电转换模组，其特征在于，该光电转换模组包括一碳纳米管结构及一覆盖结构，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该覆盖结构遮盖于半导体性碳纳米管片段的部分区域，该部分区域即为遮盖区域，所述碳纳米管结构是通过在生长碳纳米管的过程中施加变换方向的电场形成的结构，所述变换方向的电场包括给催化碳纳米管生长的催化剂层充正电荷的正向电场和给催化剂层充负电荷的负向电场。
2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且该多根碳纳米管沿同一方向延伸。
3.如权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，相邻的碳纳米管中金属性碳纳米管片段的长度一致，相邻碳纳米管中半导体性碳纳米管片段的长度一致。
4.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段通过肖特基势垒连接。
5.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管，该单壁碳纳米管的直径小于2纳米。
6.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，进一步包括一第一电极和一第二电极，该第一电极和第二电极分别与该两个金属性碳纳米管片段电连接。
7.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，该覆盖结构接触设置或间隔设置于所述半导体性碳纳米管片段的部分区域。
8.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，进一步包括一基底，所述光电转换模组设置于所述基底的表面。
9.如权利要求8所述的光电转换装置，其特征在于，所述覆盖结构固定于所述基底表面，该覆盖结构包括一容置空间，所述遮盖区域设置于该覆盖结构的容置空间中。
10.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，该碳纳米管包括多个金属性碳纳米管片段和多个半导体性碳纳米管片段交替排列，且两端为金属性碳纳米管片段，该覆盖结构分别遮盖于每个半导体性碳纳米管片段的部分区域，该部分区域即为遮盖区域。
