1.一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；其特征在于，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道，所述碳纳米管结构是通过在生长碳纳米管的过程中施加变换方向的电场形成的结构，所述变换方向的电场包括给催化碳纳米管生长的催化剂层充正电荷的正向电场和给催化剂层充负电荷的负向电场。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括两个金属电极，所述两个金属电极分别设置于所述金属性碳纳米管片段的表面，以共同作为源极、漏极。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且该多根碳纳米管沿同一方向延伸。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，相邻的碳纳米管中金属性碳纳米管片段的长度一致，相邻碳纳米管中半导体性碳纳米管片段的长度一致。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段通过肖特基势垒连接。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管，该单壁碳纳米管的直径小于2纳米。
7.一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述绝缘基底的表面；一绝缘层，该绝缘层设置于所述碳纳米管结构远离绝缘基底的表面；一栅极，该栅极设置于所述绝缘层远离碳纳米管结构的表面，并与所述碳纳米管结构绝缘设置；其特征在于，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道，所述碳纳米管结构是通过在生长碳纳米管的过程中施加变换方向的电场形成的结构，所述变换方向的电场包括给催化碳纳米管生长的催化剂层充正电荷的正向电场和给催化剂层充负电荷的负向电场。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括两个金属电极，所述两个金属电极分别设置于所述碳纳米管两端的金属性碳纳米管片段的表面，以共同作为源极、漏极。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且该多根碳纳米管沿同一方向延伸。
10.一种薄膜晶体管，其包括：一碳纳米管结构，其特征在于，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道，所述碳纳米管结构是通过在生长碳纳米管的过程中施加变换方向的电场形成的结构，所述变换方向的电场包括给催化碳纳米管生长的催化剂层充正电荷的正向电场和给催化剂层充负电荷的负向电场。
