光电探测器及其制备方法

1.一种光电探测器的制备方法，包括：S1，提供一基底，在该基底表面形成叉指电极层；S2，在该叉指电极层上蒸镀形成光活性层，该光活性层的材料为钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料，该有机金属半导体吸光材料选自化学通式为ABX 3 中的一种或多种材料，其中A为有机胺类离子CH 3 NH 3 + 、C 2 H 5 NH 3 + 及NH 2 CH＝NH 2 + 中的一种或多种；B为二价的金属离子Cu 2+ 、Ni 2+ 、Co 2+ 、Fe 2+ 、Mn 2+ 、Cr 2+ 、Pd 2+ 、Cd 2+ 、Ge 2+ 、Sn 2+ 、Pb 2+ 、Eu 2+ 之中的一种或多种；X为卤素离子Cl - 、Br - 、I - 或拟卤素离子CN - 、NCO - 、NCS - 、NCSe - 之中的一种或多种，在该叉指电极层上蒸镀形成所述光活性层包括以下步骤：S21，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及光活性层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该碳纳米管膜结构设置在两个支撑体之间且部分悬空，该光活性层源材料设置在悬空的碳纳米管膜结构表面，该碳纳米管膜结构包括至少一碳纳米管膜，该至少一碳纳米管膜包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿着同一方向择优取向首尾相连；S22，将该蒸发源与该叉指电极层的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该光活性层源材料蒸发，在该叉指电极层上蒸镀形成光活性层。 2.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，在该基底表面形成该叉指电极层包括以下步骤：S11，清洗该基底；S12，在该基底上蒸镀叉指电极薄膜；S13，在所述叉指电极薄膜上设置掩膜进行光刻；S14，去除掩膜形成叉指电极层。 3.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，该光活性层源材料通过溶液法、沉积法、蒸镀法、电镀法或化学镀法承载在该碳纳米管膜结构表面。 4.如权利要求3所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，在该碳纳米管膜结构表面承载该光活性层源材料包括以下步骤：S211，将该光活性层源材料溶于或均匀分散于一溶剂中，形成混合物；S212，将该混合物均匀附着于该碳纳米管膜结构表面；以及S213，将附着在该碳纳米管膜结构表面的混合物中的溶剂蒸干，从而将该光活性层源材料均匀的附着在该碳纳米管膜结构表面。 5.如权利要求4所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S211包括使多种材料在溶剂中按预定比例预先混合均匀的步骤，从而使担载在碳纳米管膜结构不同位置上的该多种材料均具有该预定比例。 6.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，该步骤S23进一步包括将该蒸发源及光活性层源材料设置在真空室中，在真空中向该碳纳米管膜结构输入所述电磁波信号或电信号的步骤。 7.如权利要求6所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号时，进一步包括提供一电磁波信号输入装置，使该电磁波信号输入装置向该碳纳米管膜结构发出电磁波信号的步骤。 8.如权利要求6所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电信号时，进一步包括提供第一电信号输入电极及第二电信号输入电极，使该第一电信号输入电极及第二电信号输入电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接的步骤。 9.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，该蒸发源与该叉指电极层的表面之间的间距为1微米～10毫米。 10.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10 -4 焦耳每平方厘米开尔文，比表面积大于200平方米每克。