1.一种松树状金属纳米光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一第一金属层，在所述第一金属层远离基底的表面设置一隔离层，在所述隔离层远离第一金属层的表面设置一第二金属层；在所述第二金属层远离隔离层的表面设置一图案化的第一掩模层，所述图案化的第一掩模层包括一本体以及由本体定义的多个平行且间隔设置开口；以及同时干法刻蚀图案化的第一掩模层和第二金属层，得到多个三棱柱结构；以多个三棱柱结构为掩模干法刻蚀所述隔离层，得到多个第二长方体结构；以多个三棱柱和第二长方体结构为掩模干法刻蚀所述第一金属层，得到多个第一长方体结构；所述三棱柱结构的底面与第二长方体结构的上表面完全重合，所述三棱柱结构的宽度大于第一长方体结构的宽度。
2.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为20纳米～500纳米，所述隔离层的厚度为5纳米～100纳米，所述第二金属层的厚度为40纳米～800纳米；所述第一金属层和第二金属层的材料为金、银、铜和铝中的一种或多种，所述隔离层的材料为Cr、Ta、Ta 2 O 5 、TiO 2 、Si、SiO 2 中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀图案化的第一掩模层和第二金属层的刻蚀气体为物理性刻蚀气体和反应性刻蚀气体的混合气体，所述物理性刻蚀气体的体积流量为20sccm～300sccm，所述反应性刻蚀气体的体积流量为2sccm～20sccm，刻蚀系统的压强为16Pa～180Pa，刻蚀系统的功率为11W～420W，刻蚀时间为5sec～3min。
4.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述刻蚀隔离层的刻蚀气体为O 2 和Cl 2 的混合气体，所述O 2 的体积流量为3sccm～35sccm，Cl 2 的体积流量为6sccm～200sccm，系统的气压为8Pa～150Pa，刻蚀系统的功率是5W～210W，刻蚀时间为5sec～1min。
5.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述刻蚀第一金属层的刻蚀气体为O 2 、Cl 2 和Ar的混合气体，其中所述Cl 2 的体积流量为1sccm～240sccm，所述O 2 的体积流量为1sccm～260sccm，所述Ar的体积流量为50sccm～500sccm，刻蚀系统的压强为16帕，刻蚀系统的功率为20W～300W，刻蚀时间为5min～50min。
6.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述图案化的第一掩模层中的多个开口以直线、折线或曲线的形式并排延伸，所述开口的宽度为40纳米～450纳米。
7.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述得到多个第一长方体结构之后，进一步在所述三棱柱结构的表面沉积一第三金属层。
8.一种松树状金属纳米光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一第一金属层，在所述第一金属层远离基底的表面设置一第二金属层，所述第一金属层和第二金属层的材料不同；在所述第二金属层远离第一金属层的表面设置一图案化的第一掩模层，所述图案化的第一掩模层包括包括一本体以及由本体定义的多个平行且间隔设置开口；以及同时干法刻蚀图案化的第一掩模层和第二金属层，得到多个三棱柱结构；以多个三棱柱为掩模干法刻蚀所述第一金属层，得到多个长方体结构；所述三棱柱结构地面的宽度大于长方体结构上表面的宽度。
9.如权利要求 8 所述的松树状金属纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材料为金、银、铜和铝中的一种或多种。
