1.一种太赫兹波波长检测方法,其包括以下步骤:使被检测的太赫兹波直接入射在一太赫兹波接收装置上,所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第一强度数据;使被检测的太赫兹波透过一碳纳米管结构之后入射在该太赫兹波接收装置上,所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第二强度数据,其中,所述碳纳米管结构包括沿同一方向定向延伸的多个碳纳米管;根据该第二强度数据和第一强度数据计算出被检测的太赫兹波的穿透率曲线;以及通过将穿透率曲线与一标准数据进行比对,获得该被检测的太赫兹波的波长范围,其中,该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数的关系数据。
2.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述碳纳米管结构包括一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管束,每一碳纳米管束包括多个相互平行的碳纳米管。
3.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述多个碳纳米管的表面包覆有金属导电层。
4.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述碳纳米管结构的边缘固定于一支撑框架上,中间部分通过该支撑框架悬空设置。
5.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述使被检测的太赫兹波透过碳纳米管结构的同时进一步包括:改变所述碳纳米管结构中碳纳米管的延伸方向与太赫兹波偏振方向的夹角;该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数以及所述碳纳米管结构中碳纳米管的延伸方向与太赫兹波偏振方向的夹角的关系数据。
6.如权利要求5所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述改变碳纳米管结构中碳纳米管的延伸方向与太赫兹波偏振方向的夹角的方法为旋转所述碳纳米管结构。
7.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述使被检测的太赫兹波透过碳纳米管结构的同时进一步包括:加热该碳纳米管结构,以及测量所述碳纳米管结构的温度;该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数以及所述碳纳米管结构的温度的关系数据。
8.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述使被检测的太赫兹波透过碳纳米管结构的同时进一步包括:向所述碳纳米管结构两端施加电压;该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数以及向所述碳纳米管结构施加的电压的关系数据。
9.如权利要求1所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述使被检测的太赫兹波透过碳纳米管结构的同时进一步包括:旋转和加热该碳纳米管结构;该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数以及所述碳纳米管结构的温度和旋转角度的关系数据。
10.如权利要求7-9中任意一项所述的太赫兹波波长检测方法,其特征在于,所述碳纳米管结构悬空设置于一真空容器中。