纳米级沟道的制备方法

本发明涉及一种纳米级沟道的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，且所述纳米线结构夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间，所述纳米线结构包括至少一纳米线；在所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，并使得该凹槽处对应的基底表面暴露，所述纳米线部分暴露并悬空于所述凹槽处，该悬空的纳米线的两端均夹于所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的基底表面沉积一薄膜层，所述悬空的纳米线投影于暴露的基底表面上未沉积薄膜层的区域，即为纳米级沟道。