1.一种采用硅基底生长氮化镓外延的方法，该方法包括以下步骤：提供一硅基底；提供一具有多个微孔的碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，该多个微孔是该多个碳纳米管之间的间隙；将所述碳纳米管结构设置于所述硅基底的一表面，从而使得所述硅基底的表面部分暴露；以该碳纳米管结构为掩模干法刻蚀所述硅基底，从而得到一具有图案化的凸起的硅基底，且该图案化的凸起包括多个凸条；以及以所述具有图案化的凸起的硅基底作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
2.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括2～4个层叠且交叉设置的碳纳米管膜，且每个碳纳米管膜中的碳纳米管通过范德华力首尾相连且沿同一方向排列。
3.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，保持所述碳纳米管结构在硅基底表面，以所述具有图案化的凸起的硅基底和所述碳纳米管结构一起作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
4.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，进一步包括去除所述碳纳米管结构，仅以所述具有图案化的凸起的硅基底作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
5.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，进一步包括沉积一阻挡层将所述图案化的凸起和碳纳米管结构覆盖；去除所述碳纳米管结构，形成一图案化的阻挡层；以所述具有图案化的凸起的硅基底和图案化的阻挡层作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
6.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，进一步包括在所述碳纳米管结构的碳纳米管表面包覆一层保护层从而形成一碳纳米管复合结构。
7.如权利要求6所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，保持所述碳纳米管复合结构在硅基底表面，以所述具有图案化的凸起的硅基底和所述碳纳米管复合结构一起作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
8.如权利要求6所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，所述保护层的材料为金属、金属氧化物、金属硫化物、非金属氧化物、非金属碳化物以及非金属氮化物中一种或多种。
9.如权利要求1所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，所述多个凸条交叉设置且包括多个沿着第一方向延伸的第一凸条和沿着第二方向延伸的第二凸条，且所述第一方向和第二方向的夹角大于等于30度小于等于90度。
10.如权利要求9所述的采用硅基底生长氮化镓外延的方法，其特征在于，所述凸条的宽度为20纳米～150纳米，高度为50纳米～1000纳米，且相邻的两个平行凸条之间的间距为10纳米～300纳米。
