1.一种光刻掩模板，其特征在于，其包括：一第二基板；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述第二基板的表面；一图案化铬层，覆盖于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，且所述图案化铬层的图案与所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案相同；一遮盖层，所述遮盖层连续覆盖于所述图案化铬层远离第二基板的表面，所述遮盖层相对于紫外光的透过率大于60％，所述遮盖层的厚度为5纳米-20纳米。
2.如权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述第二基板对于紫外光的透过率大于60％。
3.如权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述碳纳米管层为多个碳纳米管通过范德华力结合形成的自支撑结构。
4.如权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中的碳纳米管平行于所述碳纳米管膜的表面且沿同一方向择优取向延伸，在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，所述碳纳米管膜中至少部分碳纳米管平行且间隔设置。
5.如权利要求4所述的光刻掩模板，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个层叠设置的碳纳米管膜，该相邻的两个碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向成一α角度，0°＜α≤90°。
6.如权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述遮盖层的材料为金、镍、钛、铁、铝、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铪、金属硫化物中的一种。
7.一种采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板为权利要求1-6中任一项所述的光刻掩模板；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影处理。
8.一种光刻掩模板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面上设置一碳纳米管层；在所述碳纳米管层远离所述基板的表面沉积一金属铬层，所述金属铬层包括一第一图案化铬层和一第二图案化铬层，所述第一图案化铬层沉积于碳纳米管层的碳纳米管表面，所述第二图案化铬层沉积在对应于碳纳米管层空隙暴露的基板的表面；将沉积第一图案化铬层的碳纳米管层从所述基板的表面转移至一第二基板的表面，并使该碳纳米管层与所述第二基板的表面接触设置；在所述第一图案化铬层远离所述第二基板的表面上沉积一遮盖层，所述遮盖层连续覆盖于所述第一图案化铬层远离第二基板的表面，所述遮盖层相对于紫外光的透过率大于60％，所述遮盖层的厚度为5纳米-20纳米。
9.如权利要求8所述的光刻掩模板的制备方法，其特征在于，所述金属铬层连续沉积于所述基板的表面，该金属铬层的厚度为10-50纳米。
10.如权利要求8所述的光刻掩模板的制备方法，其特征在于，所述第二图案化铬层与所述基板的结合力大于所述第二图案化铬层与所述第一图案化铬层或所述第二图案化铬层与碳纳米管层的结合力。
