1.一种人造石墨的制备方法，包括以下步骤：将一石墨烯膜放置于一基板上；将所述承载有石墨烯膜的基板放入一反应室内，加热到900℃～1800℃，并通入碳源气体，该碳源气体发生裂解形成碳，该碳沉积在所述石墨烯膜上；以及在惰性气氛或者真空环境中，进行石墨化处理。
2.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述碳源气体的体积流量为100sccm～200sccm，该碳源气体的通入时间为5分钟～30分钟。
3.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述进行石墨化处理的步骤中，反应室的温度为2600℃～3000℃，保温时间为0.5小时～1小时。
4.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述基板在惰性气氛或者真空环境中的熔点大于3000℃。
5.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述基板为氮化硼膜或者碳纳米管膜。
6.如权利要求5所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜具有自支撑性。
7.如权利要求5所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管。
8.如权利要求5所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个相互缠绕的碳纳米管。
9.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述将一石墨烯膜放置于一基板上之前进一步包括以下步骤：在一基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层的表面生长石墨烯膜；以及将所述石墨烯膜剥离下来。
10.如权利要求1所述的人造石墨的制备方法，其特征在于，所述将一石墨烯膜放置于一基板上之前进一步包括以下步骤：在一金属基底的表面生长石墨烯膜；以及将所述石墨烯膜从所述金属基底上剥离下来。
