碳纳米管的表征方法

1.一种碳纳米管的表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层，所述绝缘层的材料为氧化物或者高分子材料，所述绝缘层的厚度为50-300纳米；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5-20千伏，驻留时间为6-20微秒，放大倍数为1万-10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；以及获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上，所述碳纳米管结构的照片中，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管；比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管。 2.如权利要求1所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述导电基底的材料为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。 3.如权利要求1所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括一根或多根碳纳米管。 4.如权利要求1所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管包括金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。 5.如权利要求4所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述多根碳纳管平行于绝缘层的表面。 6.如权利要求1所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述扫描电镜的加速电压为15-20千伏。 7.如权利要求1所述的碳纳米管的表征方法，其特征在于，所述驻留时间为10-20微秒。