1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一栅极，在所述栅极的表面设置一绝缘层；提供一碳纳米管膜，铺设该碳纳米管膜于一所述绝缘层表面；将所述碳纳米管膜置于扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，拍摄照片，获得碳纳米管膜的照片，碳纳米管膜中的碳纳米管分布在照片衬底上，所述碳纳米管膜的照片中，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管；比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；除去碳纳米管膜中的金属型碳纳米管，形成一半导体层；以及间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述半导体层电连接，得到一薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极的材料为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化物或者高分子材料。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为50～300纳米。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管包括金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多根碳纳米管，所述多根碳纳管平行于绝缘层的表面。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述将所述碳纳米管膜置于扫描电镜下拍摄照片，区分该碳纳米管膜中的金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管的步骤具体包括：将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述除去碳纳米管膜中的金属型碳纳米管的步骤包括：按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的碳纳米管进行标识的步骤包括：在照片上建立一坐标系，并读出金属型碳纳米管的具体坐标值；按照和照片相同的比例，在实体碳纳米管膜上建立坐标系，根据金属型碳纳米管的坐标值标识出金属型的碳纳米管。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述除去金属型的碳纳米管的步骤包括：用电子束曝光的方法，将该半导体型的碳纳米管进行保护，将金属型的碳纳米管露出，采用等离子体刻蚀的方法将金属型的碳纳米管去除。
