1.一种高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:制备高纯MgB 4 粉末S11:将Mg粉和B粉按摩尔比1:4均匀混合,将混合粉末压制成薄片;S12:将步骤S11中压制的薄片置入石英管中,将石英管密封后置于流通氩气的管式炉中,加热至950℃~1100℃,保温1~2h,随炉冷却至室温,制得MgB 4 块材;S13:将步骤S12制得的MgB 4 块材放置于酸溶液中,浸泡0.5~2h后,清洗并干燥,制得高纯MgB 4 粉末;S2:制备MgB 2 超导体S21:将B粉和步骤S1制得的MgB 4 粉末按摩尔比(1-4x):x均匀混合,0<x≤0.125,将混合粉末压制成薄片;以高压压实的MgB 4 和B的混合薄片作为MgB 2 生长的模版,利用扩散的方法使Mg向B和MgB 4 的混合薄片扩散而生成MgB 2 ;不锈钢管中充满的过量Mg粉,以有效解决Mg流失问题;S22:将步骤S21中压制的薄片置入充满Mg粉的不锈钢管中,不锈钢管两端密封后置于流通氩气的管式炉中加热到650℃~750℃,保温2~10h,随炉冷却至室温,即得MgB 2 超导体;保温烧结时间是根据B粉和MgB4粉混合薄片的具体尺寸和厚度确定,以保证Mg向B扩散完全并反应充分。
2.根据权利要求1所述的高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:所述步骤S13中的酸溶液包括稀硝酸溶液、盐酸溶液、硫酸溶液或醋酸溶液中的一种。
3.根据权利要求2所述的高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:所述稀硝酸溶液为浓度为53%的浓硝酸与去离子水按体积比为1:10混合而成。
4.根据权利要求1-3任一所述的高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:所述步骤S11中压制的薄片,直径10㎜,厚度1~2㎜。
5.根据权利要求1-3任一所述的高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:所述步骤S21中压制的薄片,直径10㎜,厚度1~2㎜。
6.根据权利要求1-3任一所述的高致密度MgB 2 超导体的制备方法,其特征在于:所述步骤S13中,使用去离子水和酒精对MgB 4 块材进行清洗。