1.一种半导体探测器，包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板，并且其中在所述阴极电路板高压端顶层中设置滤波电路。
2.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述探测器晶体是碲锌镉晶体。
3.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述阴极电路板底部连接层采用导电胶的形式与所述阴极接触。
4.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述滤波电路采用无源滤波。
5.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述滤波电路设置于所述阴极电路板高压端顶层的边缘。
6.根据权利要求1所述的半导体探测器，包括多个过孔，所述过孔均匀地设置。
7.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述阴极电路板高压端顶层通过焊接贴片插座或者直接焊接与外部高压源相连。
8.根据权利要求1所述的半导体探测器，其中所述阴极电路板是柔性电路板。
9.根据权利要求8所述的半导体探测器，其中所述滤波电路设置于所述柔性电路板中。
10.一种半导体探测器的封装方法，所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，所述方法包括：将所述阴极电路板高压端顶层连接半导体探测器的输入，并且通过所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板，其中在所述阴极电路板高压顶层上设置滤波电路来实现对高压的滤波。
