一种高密度射频多芯片封装结构

本发明涉及一种高密度射频多芯片封装结构，包括：基片(1)、基片(2)、基片(3)、壳体(4)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)，壳体(4)组装在基片(1)上并与基片(1)围成空间，基片(2)、基片(3)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)均设置于空间内；芯片(6)组装在基片(1)上；芯片(8)组装在基片(2)上，并通过基片(2)与基片(1)连接；芯片(5)组装在壳体(4)上；芯片(7)组装在基片(3)上，并通过基片(3)与壳体(4)连接，能够将若干有源芯片和若干无源器件进行三维混合高密度集成。