1.一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极通过一绝缘层与所述第二电极、第三电极、第四电极以及所述纳米异质结构电绝缘；所述第二电极、第三电极、第四电极与所述纳米异质结构电连接，其特征在于，所述纳米异质结构由一单根的第一金属性碳纳米管，一单根的半导体性碳纳米管，一半导体层以及一单根的第二金属性碳纳米管组成，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，所述单根的第一金属性碳纳米管和所述单根的半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，所述单根的第二金属性碳纳米管设置于第二表面；所述单根的第一金属性碳纳米管和所述单根的半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，所述单根的第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度，所述单根的第一金属性碳纳米管，半导体层以及单根的第二金属性碳纳米管相互交叉形成一三维立体的第一纳米异质结，所述单根的半导体性碳纳米管，半导体层以及单根的第二金属性碳纳米管相互交叉形成一三维立体的第二纳米异质结。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属性碳纳米管或第二金属性碳纳米管为单壁碳纳米管，所述第一金属性碳纳米管或第二金属性碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体性碳纳米管为单壁碳纳米管，半导体性碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层为过渡金属硫化物。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层为硫化钼材料。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一方向和第二方向之间的夹角大于60度小于等于90度。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一方向和第二方向之间的夹角为90度。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极、第三电极或第四电极为金属Au和Ti得到的金属复合结构。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述金属复合结构是由金属Au在金属Ti的表面复合而成，所述金属Ti的厚度为5纳米，金属Au的厚度为50纳米。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极为一层状结构，绝缘层设置于第一电极的表面。
