1.一种纳米异质结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；S2：在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；S3：覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；S4：在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及S5：将上述结构进行退火处理，所述第一金属型碳纳米管，半导体层以及第二金属型碳纳米管的交叉点形成一三维立体的第一纳米异质结，所述半导体型碳纳米管，半导体层以及第二金属型碳纳米管的交叉点形成一三维立体的第二纳米异质结。
2.如权利要求1所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，在支撑结构上形成一第一碳纳米管层的方法为转移方法。
3.如权利要求2所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述转移方法包括以下步骤：S1l：在一基底上生长一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；S12：涂覆一过渡层于上述第一碳纳米管层的表面；S13：将涂覆有过渡层的第一碳纳米管层以及基底放入一碱性溶液中加热至70～90摄氏度，使过渡层和第一碳纳米管层与基底分离；以及S14：将粘有第一碳纳米管层的过渡层铺设于支撑结构上，除去过渡层，使第一碳纳米管层形成于支撑结构的表面。
4.如权利要求3所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述过渡层的材料为PMMA。
5.如权利要求3所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
6.如权利要求3所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，提供一半导体层晶体，通过胶带多次对撕的方法对撕该半导体晶体，使半导体层的厚度越来越薄，直到在胶带上形成一二维的半导体层，然后将该二维的半导体层设置于第一碳纳米管层的表面，除去胶带。
7.如权利要求1所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，步骤S4具体包括以下步骤：S41：在扫描电镜辅助下选取所述第一碳纳米管层中平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的坐标位置；在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管的坐标位置；S42：用电子束曝光的方法将标识出的第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，以及第二金属性碳纳米管保护，第一碳纳米管层和第二碳纳米管层中的其它碳纳米管露出，采用等离子体刻蚀的方法将第一碳纳米管层和第二碳纳米管层中的其它碳纳米管刻蚀掉。
8.如权利要求1所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属性碳纳米管或第二金属性碳纳米管为单壁碳纳米管，第一金属性碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
9.如权利要求1所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述半导体性碳纳米管为单壁碳纳米管，半导体性碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
10.如权利要求1所述的纳米异质结构的制备方法，其特征在于，所述半导体层为一二维结构的半导体层，半导体层的厚度为5纳米～30纳米。
