1.一种纳米异质结构，包括一单根第一金属型碳纳米管，一单根半导体型碳纳米管，一半导体层以及一单根第二金属型碳纳米管；所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，所述单根第一金属型碳纳米管和所述单根半导体型碳纳米管平行间隔设置于第一表面，所述单根第二金属型碳纳米管设置于第二表面；所述单根第一金属型碳纳米管和所述单根半导体型碳纳米管朝第一方向延伸，所述单根第二金属型碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度，所述单根第一金属型碳纳米管，半导体层以及单根第二金属型碳纳米管的交叉点形成一三维立体的第一纳米异质结，所述单根半导体型碳纳米管，半导体层以及单根第二金属型碳纳米管的交叉点形成一三维立体的第二纳米异质结。
2.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一金属型碳纳米管或第二金属型碳纳米管为单壁碳纳米管，第一金属型碳纳米管或第二碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
3.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体型碳纳米管为单壁碳纳米管，该半导体型碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
4.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体层的厚度为5纳米～30纳米。
5.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体层为过渡金属硫化物。
6.如权利要求5所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体层为硫化钼材料。
7.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，第一方向和第二方向之间的夹角大于60度小于等于90度。
8.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，第一方向和第二方向之间的夹角为90度。
9.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一金属型碳纳米管，半导体层以及第二金属型碳纳米管的交叉点形成一个第一三层立体结构，该第一三层立体结构的横截面的面积为0.25nm 2 ～100nm 2 。
10.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体型碳纳米管，半导体层以及第二金属型碳纳米管的交叉点形成一个第二三层立体结构，该第二三层立体结构的横截面的面积为0.25nm 2 ～100nm 2 。
