1.一种压接式IGBT子模组，封装于IGBT模块封装结构中，其特征在于，包括：IGBT芯片，所述IGBT芯片包括两面，其中所述IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
2.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，所述定位件上设置有第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞，所述第一孔洞的底端与所述第二孔洞的顶端连通，所述第一孔洞的底端与所述第三孔洞的顶端连通；所述第一孔洞用于容纳所述集电极钼片以及所述IGBT芯片、所述第二孔洞用于容纳所述发射极钼片，所述第三孔洞用于容纳所述栅极连接件。
3.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，所述栅极连接件为弹簧针，其中所述弹簧针的一端包含可伸缩针头，所述可伸缩针头与所述IGBT芯片的栅极接触，所述弹簧针的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
4.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，所述栅极连接件的另一端采用焊接方式固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
5.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的压接式IGBT子模组；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳与所述集电极钼片的另一面接触；多个发射极凸台，所述发射极凸台设置于所述壳体的底壳上，所述发射极凸台与所述发射极钼片的另一面接触；PCB电路板，所述PCB电路板设置于多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设置有互联电路，其中栅极连接件的另一端与所述互联电路电连接。
6.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的上开口设置有第一法兰结构，所述第一法兰结构用于固定所述顶壳；所述中环的下开口设置有第二法兰结构，所述第二法兰结构用于固定所述底壳。
7.根据权利要求6所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述第一法兰结构和所述第二法兰结构为导电材料，并且所述第一法兰结构上设置有集电极引脚；所述第二法兰结构上设置有发射极引脚。
8.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的侧壁上设置有通孔，所述通孔中镶嵌有栅极引脚，其中所述栅极引脚与所述互联电路电连接。
9.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的材料为绝缘材料。
10.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述顶壳和底壳为铜。
