1.一种透射型低能量电子显微系统，其包括：一真空腔体；一设置于该真空腔体内的电子枪，用于发射电子束；一与该真空腔体连接的衍射腔体；一设置于该衍射腔体内的成像装置；一样品支架，用于固定二维纳米材料样品，上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束，并在所述成像装置上成像；一与该衍射腔体连接的芯柱；一与该真空腔体连接的抽真空装置；以及一控制电脑，用于控制整个系统工作和数据处理；其特征在于，所述衍射腔体内进一步设置一阳极电极，所述成像装置设置于所述电子枪和所述阳极电极之间；所述控制电脑还包括工作模式切换模块，所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换；所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面，并进行衍射成像；所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面，并进行衍射成像。
2.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述控制电脑还包括图像处理模块以及距离控制模块；所述图像处理模块用于对采集的图像进行处理从而获取衍射环半径R，所述距离控制模块可以调节所述样品与成像装置之间的距离D。
3.如权利要求2所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述控制电脑还包括一计算模块，所述计算模块用于根据衍射环半径R和所述样品与成像装置之间的距离D计算出衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ，以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d,其中，λ为电子束的波长。
4.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述成像装置为荧光屏。
5.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述成像装置为CCD图像传感器，通过该CCD图像传感器采集透射电子和衍射电子的图像，并发送至所述控制电脑。
6.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述电子枪提供的电子束能量为800eV-3000eV，电子束流为0.1微安-1微安，且电子束斑直径为100微米-1厘米。
7.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，进一步包括一喷淋部件，所述喷淋部件靠近所述样品支架设置，从而使从喷淋部件喷出的分子材料可以吸附在所述样品表面。
8.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，进一步包括一导电杆，所述导电杆可以转动，从而使该导电杆可以转动到所述成像装置前面，从而将透射斑挡住，从而仅获得衍射图案。
9.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述样品支架还包括一加热元件和温度传感器，加热范围为从室温到1500K。
10.如权利要求1所述的透射型低能量电子显微系统，其特征在于，所述样品支架还包括一移动装置，从而使样品移动，实现电子束对该样品的扫描。
