衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法

本发明提出了一种衬底表面钝化方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底顶部表面为III-V族锑化物半导体材料；将衬底的顶部表面浸入中性或酸性的含硫离子溶液中。该衬底表面钝化方法具有简单易行、成本低的优点。本发明还提出一种半导体结构形成方法。