等离子体处理装置以及等离子体处理方法

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摘要
本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置,具备:处理室,进行等离子体处理;气体供给单元,对所述处理室供给工艺气体;高频电源,供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力;以及光检测器,检测在所述处理室内生成的等离子体的发光,所述离子体处理装置的特征在于:所述光检测器具备:检测部,在规定的曝光时间的期间,检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光;以及控制部,进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定。
申请人
株式会社日立高新技术
第一发明人
安藤阳二
著录信息
20130205
20160907
20160907
申请日
首次公开日
授权(公告日)
维持时间:14年
预估到期:20330205
申请号
201310045137
申请日
20130205
公开(公告)号
CN103811249B@FMSQ20160907
当前申请(专利权)人
株式会社日立高新技术
公开(公告)日
20160907
原始申请(专利权)人
株式会社日立高新技术
原始申请(专利权)人地址
日本东京都
发明(设计)人
安藤阳二、小野哲郎、臼井建人
代理人
许海兰
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
IPC分类号
H01J37/244
H01J37/32