光电探测器和辐射探测器

本实用新型公开了一种光电探测器和辐射探测器。该光电探测器包括：本征半导体层，具有顶部表面和底部表面；位于本征半导体层的顶部表面的P型轻掺杂区；位于本征半导体层的顶部表面的P型重掺杂区；位于本征半导体层的顶部表面的P型接触层；以及位于本征半导体层的底部表面的N型接触层，其中，P型重掺杂区与P型轻掺杂区邻接，并且P型接触层与P型重掺杂区相接触且P型接触层与P型轻掺杂区相接触。该辐射探测器包括：闪烁体，接收高能辐射并产生光；以及上述光电探测器，接收光并产生感测信号。该光电探测器可以实现高光电转换效率，进而实现高灵敏度。