半导体结构

本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一金属等离子体产生层设置于所述有源层的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离有源层的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的折射率之差小于等于0.3。所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。