发光二极管的制备方法

本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在基底依次外延生长一有源层，该有源层包括缓冲层、一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面；形成一金属层于所述第三光学对称层远离基底的表面；形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面；形成一第一光学对称层于第四光学对称层远离基底的表面，该第一光学对称层的折射率n<Sub>1</Sub>与缓冲层和有源层的整体的等效折射率n<Sub>2</Sub>的差值∆n<Sub>1</Sub>于等于0.3，其中∆n<Sub>1</Sub>=|n<Sub>1</Sub>‑n<Sub>2</Sub>|；去除所述基底，暴露出第一半导体层；以及在第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与第二半导体层电连接。